电闸顿时合上。

    辐射光源也逐渐开始运行起来。

    芯片的诞生，要经历的流程很多。

    而光刻就是芯片制造至关重要的一个环节。

    光刻技术最早于1958年开始应用，并实现了平面晶体管的制造，也是IC制程中最重要的模块。

    光刻的过程是在硅片表面上匀胶，然后将掩模版上的图形转移到光刻胶上的过程，是将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。

    光刻在整个硅片加工成本中几乎占三分之一。

    光刻占40%到50%的流片时间，它决定晶圆最小特征尺寸。

    半导体硅片在进行光刻之前有一系列清洗、涂光刻胶等过程，光刻后还有显影、清洗等工艺。

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    这一次的技术验证，自然不可能从最开始的环节开始。

    前期的材料自然是早就准备好了，单晶硅棒已经被切割成了薄片。

    这一点，国内的单晶硅和晶圆片，也已经取得了一定的突破。

    值得多提一句的是，这一次使用的正是来自魔都新胜半导体生产的。

    至于设计者张如京也在今年从魔都新胜半导体离职，加入了银河科技。

    除了张如京的加入，还有梁松等多位大佬的加入。

    这些大佬的加入，也极大地帮助了王东来在这方面的突破。

    不然的话，除非是发展机器人，采取黑灯工厂模式，用娲来全面接管，才能这么顺利完成。

    而要是这么做的话，所展现出来的人工智能就太惊人了，所以王东来根本就没有这么想过。

    所幸，有了这些大佬的加入，这方面的研发也有了很大的进步。

    王东来能说出年底能进行技术验证的一部分底气，便是这些大佬。

    这一次的光刻工厂项目，因为引起了海外半导体巨头的恶意针对，所以从银河科技单独制造，变成了举国之力攻克。

    在很多地方，也打乱了王东来的设计。

    同时，也节省了王东来很多的功夫。

    毕竟，国内的半导体技术再落后，那也是有的。

    一些细分领域的技术，比之国际顶尖水平，也只是稍差一点罢了。

    这些技术被王东来进行统合，再加以改良之后，所展现出来的水平已经追赶上国际先进水平。

    就像是这一次要测试的芯片，就是一款基于X米自主研发的澎湃芯片。

    X米在这上面，投入了大量的资金和人力。

    不过，效果并不理想。

    雷布斯都准备撤掉这个研发项目了。

    恰好就遇到了这个事情。

    雷布斯当时第一个站出来表态支持银河科技，反对国外半导体巨头的不公平合作，就算是出于x米自身利益的考量考虑，但是也对银河科技有所恩情。

    王东来是个知恩图报的人。

    所以，就定下了这个计划。

    帮助雷布斯把澎湃芯片研发出来，攻克7nm工艺。

    “领导，这是X米的澎湃芯片，在今年2月份的时候，X米推出了澎湃s1，采用的是28纳米工艺制程，最高主频达2.2吉赫兹。”

    “但是，放眼全球，这个工艺水平其实相当落>> --